应我司邀请，12月27日上午，武汉理工大学徐林教授在雁山校区12217多功能室作了题为“纳米线储能材料与器件”的学术报告。我司相关专业师生聆听了此次报告。

在报告中，徐林教授首先分析了高性能储能器件发展所面临的挑战和科学问题。接着他系统介绍了其课题组在单根纳米线储能器件方面的研究进展情况，他们结合原位表征技术，揭示了电化学储能器件容量衰减与电极材料电导率降低、结构劣化之间的内在规律。基于该规律,课题组一方面从改善纳米线电极材料本征性能入手,提出并实现了纳米线化学预嵌入、拓扑取代、取向有序化等性能优化策略,显著提高了电极材料的电导率及其电化学储能器件的循环稳定性和倍率特性；另一方面，他们从抑制纳米线电极结构劣化入手,设计构筑了纳米线分级结构和一维自缓冲纳米杂化结构,并对其构筑原理进行了研究,显著增加纳米线的比表面积和电化学活性位点,大幅提高了纳米线储能器件的能量密度、功率密度以及器件可靠性,为纳米线电化学储能器件的发展和应用奠定基础。

在互动环节，师生们踊跃提问，徐林教授均作了详细解答。徐林教授的学术报告内容丰富，讲解深入浅出，加深了师生们对纳米线储能材料与器件领域知识的理解，拓宽了师生们的学术视野，对他们在有关领域的学习和研究具有积极意义。

徐林教授在作学术报告

学术报告会现场